Fairchild Semiconductor presenta un IGBT da 600V/30A che ottimizza l'efficienza nelle applicazioni
L'IGBT FGH30N60LSD riduce significativamente le perdite di conduzione in applicazioni quali inverter solari, macchine per saldatrici e gruppi di continuità
Il nuovo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da 600V/30A di Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), il tipo FGH30N60LSD, risponde all'esigenza di mantenere al livello minimo possibile le perdite di conduzione per le applicazioni industriali a bassa frequenza (50~400Hz) quali inverter solari, saldatrici e gruppi di continuità UPS (Uninterruptible Power Supply). Caratterizzato da una bassa tensione di saturazione (VCE(sat) tipica = 1,1 V), l'IGBT FGH30N60LSD è progettato specificamente per aumentare l'efficienza di sistema rispondendo contemporaneamente ai requisiti degli impieghi a bassa frequenza. Per ottenere livelli di efficienza energetica maggiori in applicazioni industriali che prevedono l'impiego di commutazioni sia a bassa che ad alta frequenza, come gli inveter solari, questo IGBT può essere abbinato al FRFET Fairchild FCH47N60F SuperFET, un MOSFET avanzato che offre una frequenza operativa fino a 250 kHz con un valore estremamente basso di resistenza nello stato On (RDS(on) tipico = 0,062 Ohms).
“L'efficienza energetica è oggi una delle principali preoccupazioni in applicazioni industriali quali inveter solari, saldatrici e UPS”, ha affermato Donghye Cho, Director of High Voltage Functional Power Solutions di Fairchild. “L'aver progettato il nostro nuovo IGBT in modo da raggiungere perdite di conduzione estremamente basse e la possibilità di abbinarlo alla nostra sofisticata proposta MOSFET SuperFET ad alta frequenza di commutazione e basso (RDS(on) dimostrano la nostra capacità di risolvere le ‘sfide’ con applicazioni e progettazione complesse'.
L'IBGT FGH30N60LSD è un dispositivo di potenza ad alto voltaggio pilotato da un gate MOS che unisce le migliori caratteristiche sia dei MOSFET che dei transistor bipolari. Questo dispositivo integra un Fast-Recovery Diode (FRD) per consentire ai progettisti a ridurre il numero dei componenti esterni aumentando l'affidabilità di sistema. Grazie all'unione della tecnologia SuperFET con un processo di 'lifetime killing', il dispositivo FRFET SuperFET offre superiori caratteristiche 'body-diode', che si traducono in frequenze di switching elevate, un valore estremamente contenuto di resistenza nello stato On, eccellente immunità al turn-off dv/dt e un basse EMI. Tutte queste caratteristiche contribuiscono ad aumentare l'efficienza e l'affidabilità di sistema.
L'IBGT Fairchild FGH30N60LSD utilizza terminali privi di piombo (Pb-free) caratterizzati da una sensibilità all'umidità conforme ai requisiti di reflow Pb-free stabiliti dallo standard IPC/JEDEC J-STD-020. Tutti i prodotti Fairchild sono progettati in modo da rispettare i parametri stabiliti dalla direttiva RoHS emanata dall'Unione Europea sulla limitazione all'impiego di determinate sostanze.
Package: TO-247
Prezzo (cadauno per 1.000 pezzi): 8,70 dollari
Consegne: 12 settimane dall'ordine
La presente comunicazione intende inoltre annunciare che Seigradi sarà responsabile delle attività di PR per Fairchild Semiconductor in Italia. L’azienda festeggia quest’anno il 50° anno dalla nascita e il 10° anniversario da quando è stata rilanciata come azienda indipendente. Fairchild ha sempre valorizzato le proprie relazioni coi media ed è fermamente determinata a continuare su questa linea.
Pubblicato il: 03 settembre 2007
Fonte: Seigradi
Autore: Barbara La Malfa
Link: http://www.fairchildsemi.com
News inserita in: Nuove tecnologie
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